阶段指南

每个阶段都按同一顺序执行：确认入口 → 完成课时与实践 → 整理证据 → 参加阶段门 → 决定继续、回补或降级范围。没有“先进去再说”这个隐藏选项。

S0 起点诊断与证据工作流

这一阶段要做到： 用可观察任务找到真实起点，并建立安全、记录、AI 使用和复现规则。

提醒： 先校准尺子，再讨论跑多快。诊断不是面子工程。

入口

• 先修：无；从这里开始。
• 规模：6课，约48小时。
• 模块：M00 画像、诊断与跳级、M01 安全、证据与 AI 工作流。

你要完成

• 阶段输出：诊断报告、个人路径、AI/ 来源记录模板、安全清单。
• 实践：PR01 量纲/数量级可执行笔记、PR02 电路预测诊断包、PR03 故障 SPICE 工程复现。
• 课时：S0-01、S0-02、S0-03、S0-04、S0-05、S0-06。

过关

• 阶段门：G0 诊断与安全门。
• 过关证据：诊断报告、个人路径、AI/ 来源记录模板、安全清单。
• 硬停止：未通过 D07/D08 不得进入任何硬件任务。
• 退出标准：完成8项诊断，通过安全与证据门，得到个人补课/跳级表。

边界

• 可以并行：可以同步整理现有 Class-EF2 模型和实验记录，但不增加高能硬件。
• 现在不要做：诊断没做完，先别跳进高压、复杂多相或晶体管级大项目。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。

S1 电路、动态与能量基础

这一阶段要做到： 重建 KCL/KVL、状态变量、频域、功率/能量、磁和热的连续直觉。

提醒： 电流路径没画清，SPICE只会把错误画得更漂亮。

入口

• 先修：通过 S0。
• 规模：10课，约102小时。
• 模块：M10 静态电路与符号、M11 动态、频域与系统、M12 能量、磁、热与不确定性。

你要完成

• 阶段输出：三个未见电路的路径/波形预测、功率能量账、口试。
• 实践：PR04 RC/RL 阶跃预测与测量、PR05 RLC 阻尼与参数辨识、PR06 Bode 手绘与频响测量、PR07 耦合电感极性与能量。
• 课时：S1-01、S1-02、S1-03、S1-04、S1-05、S1-06、S1-07、S1-08、S1-09、S1-10。

过关

• 阶段门：G1 电路与能量门。
• 过关证据：三个未见电路的路径/波形预测、功率能量账、口试。
• 硬停止：总分80%，连续性和符号项不得错。
• 退出标准：能在仿真前画出电流路径，预测一二阶波形，并闭合功率/能量账。

边界

• 可以并行：数学回补与低风险仪器训练可以并行。
• 现在不要做：不要用 SPICE 截图替代手算、参考方向和符号约定。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。

S2 器件—模拟—反馈桥梁

这一阶段要做到： 把半导体行为转成电路模型，把放大、反馈和稳定性转成可解释设计。

提醒： 模型不是器件本人，只是它在规定条件下的工作证件。

入口

• 先修：通过 S1。
• 规模：10课，约119小时。
• 模块：M20 半导体与器件模型、M21 模拟电路与感知、M22 信号、反馈与稳定性。

你要完成

• 阶段输出：MOS 模型边界、放大/比较链、反馈稳定性故障诊断。
• 实践：PR08 二极管 I-V/ 温度曲线、PR09 MOS I-V、gm、ro 提取、PR10 运放反馈稳定性故障注入。
• 课时：S2-01、S2-02、S2-03、S2-04、S2-05、S2-06、S2-07、S2-08、S2-09、S2-10。

过关

• 阶段门：G2 器件—反馈门。
• 过关证据：MOS 模型边界、放大/比较链、反馈稳定性故障诊断。
• 硬停止：三类证据均通过；缺一重做对应模块。
• 退出标准：能说明模型边界，完成放大/比较/采样链和基本反馈环的手算—仿真闭环。

边界

• 可以并行：器件物理与模拟小电路可以交错；反馈训练必须放在动态基础之后。
• 现在不要做：当前阶段不展开量子输运、TCAD 或完整模拟 IC 大系统。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。

S3 开关功率级与低风险测量

这一阶段要做到： 掌握基本变换器的状态、波形、应力、损耗、驱动和安全测量。

提醒： 第一次上电的目标是安全获得信息，不是挑战额定值。

入口

• 先修：通过 S2。
• 规模：10课，约128小时。
• 模块：M30 开关单元与基本变换器、M31 器件、驱动与损耗、M32 仿真、测量与低风险硬件。

你要完成

• 阶段输出：限能 Buck 设计包、仿真、实测、偏差表、安全 check-off。
• 实践：PR11 Buck 状态与参数扫描、PR12 Boost RHP 零点观察、PR13 器件损耗与温升账、PR14 栅极回路寄生故障注入、PR15 限能 Buck 样机、PR16 模型—仿真—实测偏差闭环。
• 课时：S3-01、S3-02、S3-03、S3-04、S3-05、S3-06、S3-07、S3-08、S3-09、S3-10。

过关

• 阶段门：G3 功率级与测量门。
• 过关证据：限能 Buck 设计包、仿真、实测、偏差表、安全 check-off。
• 硬停止：效率/应力账闭合，偏差有物理解释。
• 退出标准：完成一个限能 Buck 的预测—仿真—实测—偏差闭环，并通过测量安全门。

边界

• 可以并行：可以把状态分析和损耗账用于当前 Class-EF2 研究。
• 现在不要做：接线复核、探头和停机考核没通过，不得进入48 V 以上或高储能实验。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。

S4 变换器控制与模拟 IC 设计基础

这一阶段要做到： 把功率级小信号模型、补偿和 CMOS 晶体管级模块接起来。

提醒： “负反馈”三个字不自带稳定性保证书。

入口

• 先修：通过 S3。
• 规模：10课，约132小时。
• 模块：M40 平均模型与控制、M41 CMOS 模拟设计、M42 环路—芯片接口验证。

你要完成

• 阶段输出：功率级小信号模型、补偿、误差放大器 PVT 前仿。
• 实践：PR17 状态空间平均模型单元测试、PR18 闭环补偿与 Monte Carlo、PR19 两级运放规格驱动设计、PR20 比较器/电流检测/基准测试台、PR21 PVT/MC 自动化与失败分类。
• 课时：S4-01、S4-02、S4-03、S4-04、S4-05、S4-06、S4-07、S4-08、S4-09、S4-10。

过关

• 阶段门：G4 控制—IC 接口门。
• 过关证据：功率级小信号模型、补偿、误差放大器 PVT 前仿。
• 硬停止：模型与仿真交叉验证，口试不依赖 AI。
• 退出标准：能从功率级规格得到环路指标，并完成一个两级运放/误差放大器的 PVT 前仿。

边界

• 可以并行：控制建模与模拟 IC 设计可以并行；阶段末必须用真实接口合并。
• 现在不要做：不要把行为模型、晶体管模型和板级模型混成同一证据等级。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。

S5 高频器件、磁性与硬件工程

这一阶段要做到： 理解 GaN/SiC 开关、软开关、隔离/谐振、磁热、寄生、EMI 和保护。

提醒： 开关越快，寄生越有发言权；布局从来不是最后的美术作业。

入口

• 先修：通过 S4。
• 规模：10课，约146小时。
• 模块：M50 高速开关与软开关、M51 隔离、谐振与磁性、M52 热、布局、EMI 与安全。

你要完成

• 阶段输出：开关/磁/热/寄生联合模型和缩比验证方案。
• 实践：PR22 GaN/SiC 双脉冲虚拟实验、PR23 自举/电平移位 CMTI 故障注入、PR24 ZVS 窗口与死区扫描、PR25 LLC/CLLC/DAB 候选比较、PR26 电感/变压器磁热设计、PR27 近场/电流环/探头布置演练、PR28 高能平台 FMEA 桌面评审。
• 课时：S5-01、S5-02、S5-03、S5-04、S5-05、S5-06、S5-07、S5-08、S5-09、S5-10。

过关

• 阶段门：G5 高频工程门。
• 过关证据：开关/磁/热/寄生联合模型和缩比验证方案。
• 硬停止：H2 以上须资源与安全评审签字。
• 退出标准：完成高频半桥或谐振单元的损耗、寄生和磁热模型，以及经批准的缩比验证计划。

边界

• 可以并行：磁件、驱动和布局可以并行迭代。
• 现在不要做：H3/H4 实验必须有机构批准和导师现场监督。课程文本不是操作许可。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。

S6 PMIC 功能与板芯协同

这一阶段要做到： 从功率级需求分解控制、采样、遥测、保护、驱动、版图和硅后验证。

提醒： 芯片指标必须落到功率级结果上，否则只是两张互不相识的规格表。

入口

• 先修：通过 S5。
• 规模：10课，约156小时。
• 模块：M60 PMIC 控制、采样与管理、M61 驱动 IP 与物理实现、M62 PDN、硅后与板芯闭环。

你要完成

• 阶段输出：芯片 PRD、模块预算、PVT/MC/PEX 计划、板接口与 bring-up 计划。
• 实践：PR29 LDO/ 基准/启动联合仿真、PR30 多相均流与 load-line HIL、PR31 PMBus 最小寄存器与故障日志、PR32 自适应死区 IP 验证、PR33 DRC/LVS/PEX 与封装寄生闭环、PR34 动态负载与 PDN 目标阻抗。
• 课时：S6-01、S6-02、S6-03、S6-04、S6-05、S6-06、S6-07、S6-08、S6-09、S6-10。

过关

• 阶段门：G6 板芯协同门。
• 过关证据：芯片 PRD、模块预算、PVT/MC/PEX 计划、板接口与 bring-up 计划。
• 硬停止：所有指标可追溯至功率级需求。
• 退出标准：交付一个 PMIC/ 驱动 IP 规格包、关键模块 PVT/MC/PEX 计划和板级接口验证。

边界

• 可以并行：P3 控制器和 P4 驱动 IP 可以共享采样、时序、保护和验证基础设施。
• 现在不要做：PDK、封装或 MPW 未确认时，不得虚构工艺和硅后结果。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。

S7 四项目收敛与求职证据链

这一阶段要做到： 把基础、设计和实验收敛为四个项目的 MVP/ 完整版和可答辩证据。

提醒： 项目不是把所有技术名词塞进标题，而是把一个问题证据闭环。

入口

• 先修：通过 S6；单项目提前启动仍须通过资源门。
• 规模：10课，约246小时。
• 模块：M70 架构与资源门、M71 四项目 MVP/ 完整版、M72 研究、复现与求职答辩。

你要完成

• 阶段输出：四项目包、至少一个 MVP 证据、A/B 方法、复现包、3/10/30分钟答辩。
• 实践：PR35 四项目架构决策评审、PR36 同板 A/B 与求职复现包。
• 课时：S7-01、S7-02、S7-03、S7-04、S7-05、S7-06、S7-07、S7-08、S7-09、S7-10。

过关

• 阶段门：G7 项目与就业答辩。
• 过关证据：四项目包、至少一个 MVP 证据、A/B 方法、复现包、3/10/30分钟答辩。
• 硬停止：不得含虚构数据；独立评审通过。
• 退出标准：至少一个主项目达到可演示 MVP；四项目均有需求—证据—风险包；完成独立答辩。

边界

• 可以并行：推荐 P2+P3 或 P1 缩比+P4 两两复用，不强行拼成一套硬件。
• 现在不要做：未经测量的指标不写进简历；不为形式统一强行串联。
• 直接支撑：P1、P2、P3、P4。准确项目名称与逐课关系见项目—课程矩阵。