四个就业项目的MVP与完整版

四项目负责定义“为什么学”，不负责替你证明市场或技术事实。本地就业项目文档中的市场数字、网页摘要和会话引用不作为外部证据；所有技术结论仍要回到教材、官方规格、模型和实测。

P1 面向1 MW级AI机架的800VDC至48V/54V高变比隔离DC/DC设计与验证

先做MVP： 不接触800 V 实电。先完成750—850 V 输入、48/54 V 输出的架构比较、解析/开关模型、器件与磁件初选；再用不高于48 V 输入的隔离缩比样机验证关键波形、软开关和保护逻辑。

再做完整版本

只有在实验室 EHS、导师和设备条件全部批准后，才进入1—5 kW 模块或等效工程平台；验证绝缘配合、预充、SiC/GaN 驱动、磁热、模块并联、EMI、保护和模型—仿真—实测一致性。

开工条件

• 本地定义：docs/电力电子就业项目.pdf，第1—2页。
• 必须模块：M00、M01、M10、M11、M12、M20、M21、M22、M30、M31、M32、M40、M42、M50、M51、M52、M60、M70、M71、M72；共同基础仍须通过对应阶段门。
• 推荐实践：PR01、PR02、PR03、PR04、PR05、PR06、PR07、PR08、PR09、PR10、PR12、PR13、PR14、PR16、PR17、PR18、PR21、PR22、PR24、PR25、PR26、PR27、PR28、PR35、PR36。
• 直接课时：S0-01、S0-02、S0-03、S0-05、S0-06、S1-01、S1-03、S1-04、S1-05、S1-06、S1-07、S1-08、S1-09、S1-10、S2-01、S2-02、S2-03、S2-04、S2-08、S2-09、S2-10、S3-01、S3-03、S3-04、S3-05、S3-06、S3-07、S3-08、S3-10、S4-01、S4-02、S4-03、S4-04、S4-10、S5-01、S5-02、S5-04、S5-05、S5-06、S5-07、S5-08、S5-09、S5-10、S6-04、S7-01、S7-02、S7-03、S7-10。

当前缺口

800 V/1 MW级设施、绝缘/安规工程、模块并联与高功率磁热实证受资源门控制。课程先完成缩比验证和机构级验证计划。

硬边界

课程不授权个人搭建或调试800 V 平台。缺少合规设施时，完整版停在架构、仿真和安全缩比验证。

怎样算做成

需求与共同基线一致；手算、模型、仿真和实测分层；原始数据可复跑；最差工况与故障不被峰值结果掩盖；简历表述不高于证据等级。

P2 面向AI加速器的48V/54V直达核心电压高变比PoL与PDN协同设计

先做MVP： 先比较48/54 V→12 V→1 V 基准路径与直接/因子化路径；再用可控电流缩比平台验证多相均流、动态负载、目标阻抗和去耦配置。

再做完整版本

在100—200 A 缩比平台上联合 PoL、PCB 铜层/过孔、连接器、去耦、封装寄生和负载模型，并评估更高电流扩展；形成效率、droop、热和阻抗证据链。

开工条件

• 本地定义：docs/电力电子就业项目.pdf，第2—5页。
• 必须模块：M00、M01、M10、M11、M12、M20、M21、M22、M30、M31、M32、M40、M42、M50、M51、M52、M60、M62、M70、M71、M72；共同基础仍须通过对应阶段门。
• 推荐实践：PR01、PR02、PR03、PR04、PR05、PR06、PR07、PR08、PR09、PR10、PR11、PR12、PR13、PR14、PR15、PR16、PR17、PR18、PR21、PR22、PR26、PR27、PR28、PR30、PR34、PR35、PR36。
• 直接课时：S0-01、S0-02、S0-03、S0-04、S0-05、S0-06、S1-01、S1-02、S1-03、S1-04、S1-05、S1-06、S1-07、S1-08、S1-09、S1-10、S2-01、S2-02、S2-03、S2-04、S2-07、S2-08、S2-09、S2-10、S3-01、S3-02、S3-03、S3-05、S3-06、S3-07、S3-08、S3-09、S3-10、S4-01、S4-02、S4-03、S4-04、S4-10、S5-01、S5-02、S5-07、S5-08、S5-09、S5-10、S6-04、S6-05、S6-10、S7-01、S7-04、S7-05、S7-07、S7-10。

当前缺口

目标加速器封装/负载谱、超大电流夹具与专有PDN参数尚未取得。先使用参数化范围和公开或校准模型。

硬边界

不得把项目缩成一台孤立变换器。没有高电流设施时，使用分段 PDN 实测、硬件在环和可验证缩比模型。

怎样算做成

需求与共同基线一致；手算、模型、仿真和实测分层；原始数据可复跑；最差工况与故障不被峰值结果掩盖；简历表述不高于证据等级。

P3 面向AI服务器供电的混合信号多相VR控制器芯片与PoL板芯协同验证

先做MVP： 冻结12 V→0.8—1.2 V、4—8相外置 DrMOS 控制器的最小规格；完成行为模型、FPGA/MCU 等效原型、关键模拟模块前仿和 PoL 同板对照测试。

再做完整版本

依次完成晶体管级设计、PVT/Monte Carlo、版图、DRC/LVS、PEX、封装—PCB 寄生回注，以及资源允许时的流片、bring-up 和真实 PoL 闭环；证据目标至少 L3，争取 L4。

开工条件

• 本地定义：docs/功率IC就业项目.pdf，第12—16、19—20页。
• 必须模块：M00、M01、M10、M11、M12、M20、M21、M22、M30、M31、M32、M40、M41、M42、M52、M60、M61、M62、M70、M71、M72；共同基础仍须通过对应阶段门。
• 推荐实践：PR01、PR02、PR03、PR04、PR05、PR06、PR09、PR10、PR11、PR12、PR15、PR16、PR17、PR18、PR19、PR20、PR21、PR27、PR28、PR29、PR30、PR31、PR33、PR34、PR35、PR36。
• 直接课时：S0-01、S0-02、S0-03、S0-04、S0-05、S0-06、S1-01、S1-02、S1-03、S1-04、S1-05、S1-06、S1-07、S1-08、S1-10、S2-01、S2-03、S2-05、S2-06、S2-07、S2-08、S2-09、S2-10、S3-01、S3-02、S3-03、S3-07、S3-08、S3-09、S3-10、S4-01、S4-02、S4-03、S4-04、S4-05、S4-06、S4-07、S4-08、S4-09、S4-10、S5-08、S5-09、S5-10、S6-01、S6-02、S6-03、S6-04、S6-05、S6-06、S6-08、S6-09、S6-10、S7-01、S7-04、S7-05、S7-06、S7-07、S7-10。

当前缺口

目标工艺、MPW、封装、外部DrMOS和硅后样片尚未冻结。MVP先证明行为控制、关键晶体管模块和PoL闭环。

硬边界

首版不集成片上功率级，不强塞全数字高速环路、复杂 NVM 或完整协议生态。工艺和 MPW 未锁定前，不承诺流片。

怎样算做成

需求与共同基线一致；手算、模型、仿真和实测分层；原始数据可复跑；最差工况与故障不被峰值结果掩盖；简历表述不高于证据等级。

P4 面向48/54 V AI服务器中间母线的自适应GaN半桥驱动与软开关控制芯片

先做MVP： 围绕48/54 V→12 V 半桥，完成高低侧驱动、延迟匹配、防直通、SW/VDS 检测和自适应死区 IP 的行为/晶体管级验证；再用低风险半桥或商用功率板建立 A/B 方法。

再做完整版本

工艺、封装和测试条件允许时，完成 PVT/MC/PEX 和芯片 bring-up；在同板、同负载、同散热条件下，与商用驱动器比较损耗、死区、波形、温升和故障响应。

开工条件

• 本地定义：docs/功率IC就业项目.pdf，第13—16、19、21页。
• 必须模块：M00、M01、M10、M11、M12、M20、M21、M22、M30、M31、M32、M40、M41、M42、M50、M52、M60、M61、M62、M70、M71、M72；共同基础仍须通过对应阶段门。
• 推荐实践：PR01、PR02、PR03、PR04、PR05、PR06、PR07、PR08、PR09、PR10、PR13、PR14、PR16、PR17、PR20、PR21、PR22、PR23、PR24、PR27、PR28、PR29、PR32、PR33、PR35、PR36。
• 直接课时：S0-01、S0-02、S0-03、S0-04、S0-05、S0-06、S1-01、S1-02、S1-04、S1-05、S1-06、S1-07、S1-08、S1-09、S1-10、S2-01、S2-02、S2-03、S2-04、S2-05、S2-06、S2-07、S2-08、S2-09、S2-10、S3-01、S3-04、S3-05、S3-06、S3-07、S3-08、S3-10、S4-01、S4-02、S4-05、S4-06、S4-07、S4-09、S4-10、S5-01、S5-02、S5-03、S5-04、S5-08、S5-09、S5-10、S6-01、S6-02、S6-03、S6-04、S6-07、S6-08、S6-09、S7-01、S7-08、S7-09、S7-10。

当前缺口

高压工艺器件、CMTI测试结构、GaN功率板和样片资源尚未冻结。MVP先证明检测、时序、互锁及同工况A/B。

硬边界

拿不到合适高压工艺时，项目保留为核心 IP 和系统级验证。首版不塞入复杂隔离、片上隔离电源或全域自学习。

怎样算做成

需求与共同基线一致；手算、模型、仿真和实测分层；原始数据可复跑；最差工况与故障不被峰值结果掩盖；简历表述不高于证据等级。

推荐组合而非强制拼接

• 主线A： P2功率级/PDN + P3多相VR控制器，形成核心端电压的板芯闭环。
• 主线B： P1隔离缩比功率级 + P4自适应GaN驱动，形成软开关与驱动板芯闭环。
• 共同复用： 器件、磁热、测量、保护、回归和复现基础设施。
• 不强制： P1高压隔离链与P2核心PoL若在功率尺度、资源或研究问题上不匹配，只连接架构接口。统一架构不是拼乐高，接口对得上才算复用。

证据升级顺序

L0推导 → L1行为/平均模型 → L2开关/晶体管及PEX → L3缩比样机/硅后单元 → L4板芯闭环 → L5授权全系统A/B。每升一级，保留上一层预测和偏差。工具更复杂，不等于证据自动升级。