S7-05 P2 完整版：高电流 PoL、封装与系统验证

完成任务并通过验收后，再勾这一格进度只保存在当前浏览器，不会上传。

S7 · M71 · U7.3 · 预计 20 h

本课只解决一个问题： 形成从48/54 V 母线到核心端的高电流、热、磁、封装、连接器、EMI 和可靠性完整版计划。
为什么现在学： MVP 证明方法后，完整版必须把高电流互连和平台资源纳入，而非单纯放大功率。

开工前

先修： S7-04 P2 MVP：48/54 V 至核心电压 PoL 与 PDN 协同
必学： 交付 P2 完整版验证架构与资源清单
可以加餐： 虚构目标加速器内部 PDN
现在先别碰： 未批准高电流破坏性测试

抓住原理

核心概念

高电流铜损
垂直供电/背面供电接口
封装/连接器
动态负载夹具
热均流
EMI
可靠性
可制造性

公式与模型

I²R 与电流拥挤
寄生 L 造成瞬态 droop
热—电耦合均流
测量不确定度和夹具去嵌

物理直觉： 在低电压系统中，毫欧和纳亨就是系统级元件。

资料怎么读

中文主线： CN-PEA 磁件/布局/热回查
英文/官方资料： EN-FPE/EN-MAG；公开平台/器件资料；专有规范须经资源门合法取得

任务清单

[ ] 独立推导/手算： 手工分配各互连/封装/控制的 droop 和损耗预算
[ ] 仿真/编程： 建立含连接器/铜排/封装/热的联合降阶模型
[ ] 实验/观察： 用校准夹具或公开数据验证毫欧/纳亨测量方法
[ ] 反向练习： 注入连接松动、相热失配和电容老化并检查保护

提交与过关

提交： P2 完整规格、机械/电气接口、夹具与验证计划、资源门
过关线： 每个高电流结论有测量方法和误差；专有参数明确未知；与 P3 接口冻结
容易翻车： 只写拓扑不写互连；测板端不去嵌；峰值效率替代热稳态

AI 使用边界

可以让 AI 帮忙： AI 可以帮你检索术语、搭“建立含连接器/铜排/封装/热的联合降阶模型”的脚本骨架，也可以生成反例。保留提示词、模型版本和来源；最后用手算、官方文档或测试逐条验收。
必须你自己来： 先关掉 AI，独立完成“手工分配各互连/封装/控制的 droop 和损耗预算”。然后闭卷讲清思路，并达到这条过关线：每个高电流结论有测量方法和误差；专有参数明确未知；与 P3 接口冻结

学完之后

下一站： 作为 P2 完整版蓝图并冻结 P2↔P3 板芯接口。
项目关系： 直接支撑 P2、P3；间接支撑 P1、P4。P2 直接完整版；P3 获得控制、遥测、负载线与封装边界。
详细项目名： 见项目—课程矩阵。

时间账

阅读 4 h · 手算 4 h · 仿真/编程 5 h · 观察/实验 4 h · 复盘 3 h。合计 20 h。