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03 先修关系图
可并行与不可跳过
- 可以并行： S1中的数学回补、动态分析和仪器训练；S2中的器件物理和模拟小电路。
- 可以双线推进： S4控制建模与模拟 IC；但到G4前，必须用真实接口合并。
- 可以迭代： S5磁件、驱动和布局；H2以上实验仍受安全门约束。
- 可以复用： S6的P3/P4共享检测、时序、保护、回归和版图基础设施。
- 不能跳： S0安全门、每课独立任务、阶段门、原始数据、偏差解释和最终答辩。依赖图不是建议路线，它是防止知识悬空的护栏。
机器可读课时边
下表列出全部显式依赖。没有显式先修，只表示它是阶段入口课；不表示你可以绕过上一阶段门。
| 先修课 | 后续课 | 后续课题 |
|---|---|---|
| S0-01 | S0-02 | 数学、单位与数量级诊断 |
| S0-02 | S0-03 | 电流路径、器件状态与波形预测诊断 |
| S0-03 | S0-04 | 器件、模拟、信号与控制诊断 |
| S0-03 | S0-05 | 变换器、仿真与科研工作流诊断 |
| S0-04 | S0-05 | 变换器、仿真与科研工作流诊断 |
| S0-01 | S0-06 | 实验安全、来源与 AI 责任门 |
| S0-05 | S0-06 | 实验安全、来源与 AI 责任门 |
| S0-06 | S1-01 | 参考方向、KCL/KVL 与功率符号 |
| S1-01 | S1-02 | 等效变换、戴维宁/诺顿与端口观点 |
| S1-02 | S1-03 | 节点/网孔法、受控源与小网络自动化 |
| S1-03 | S1-04 | 非线性器件、负载线与分段模型 |
| S1-04 | S1-05 | 电容、电感与状态连续性 |
| S1-05 | S1-06 | 二阶系统、阻尼、谐振与参数辨识 |
| S1-06 | S1-07 | 正弦稳态、相量、复功率与 Bode 初步 |
| S1-07 | S1-08 | 功率、能量流、效率与损耗账 |
| S1-05 | S1-09 | 磁路、耦合电感与变压器极性 |
| S1-08 | S1-09 | 磁路、耦合电感与变压器极性 |
| S1-08 | S1-10 | 热、容差、不确定性与 S1 阶段门 |
| S1-09 | S1-10 | 热、容差、不确定性与 S1 阶段门 |
| S1-10 | S2-01 | 能带、掺杂、载流子与模型边界 |
| S2-01 | S2-02 | PN 结、肖特基、击穿与反向恢复 |
| S2-02 | S2-03 | MOS 结构、工作区与大/小信号模型 |
| S2-03 | S2-04 | Si MOSFET、SiC MOSFET 与 GaN HEMT 的电路差异 |
| S2-03 | S2-05 | 偏置、电流镜与小信号增益 |
| S2-05 | S2-06 | 差分放大、共模、CMRR 与失配 |
| S2-06 | S2-07 | 运放闭环、频率响应、噪声与动态 |
| S1-07 | S2-07 | 运放闭环、频率响应、噪声与动态 |
| S2-06 | S2-08 | 比较器、迟滞、基准与电流检测 |
| S2-07 | S2-08 | 比较器、迟滞、基准与电流检测 |
| S1-07 | S2-09 | LTI、拉普拉斯、极零点与环路增益 |
| S2-07 | S2-09 | LTI、拉普拉斯、极零点与环路增益 |
| S2-09 | S2-10 | 反馈稳定性、裕度、补偿直觉与 G2 |
| S2-10 | S3-01 | 开关单元、状态表与伏秒/电荷平衡 |
| S3-01 | S3-02 | Buck：CCM/DCM、纹波、应力与设计 |
| S3-02 | S3-03 | Boost 与 Buck-Boost：非最小相位和边界 |
| S3-03 | S3-04 | 桥式逆变、整流、PWM 与交流端口 |
| S2-04 | S3-05 | 数据手册、导通/开关损耗与器件选择 |
| S3-04 | S3-05 | 数据手册、导通/开关损耗与器件选择 |
| S3-05 | S3-06 | 栅极驱动回路、寄生与误导通基础 |
| S2-08 | S3-07 | 电压/电流检测、隔离与保护接口 |
| S3-06 | S3-07 | 电压/电流检测、隔离与保护接口 |
| S3-05 | S3-08 | SPICE 模型层次、收敛与自动化验证 |
| S3-07 | S3-08 | SPICE 模型层次、收敛与自动化验证 |
| S3-02 | S3-09 | 限能 Buck：预测、搭建与测量 |
| S3-08 | S3-09 | 限能 Buck：预测、搭建与测量 |
| S0-06 | S3-09 | 限能 Buck：预测、搭建与测量 |
| S3-09 | S3-10 | 模型—仿真—实测偏差与 G3 |
| S3-10 | S4-01 | 平均模型与状态空间平均 |
| S4-01 | S4-02 | 小信号线性化、极点零点与 RHP 零点 |
| S4-02 | S4-03 | 环路增益、注入测量与模型有效性 |
| S4-03 | S4-04 | 电压模式、电流模式与补偿器综合 |
| S4-04 | S4-05 | 数字控制的采样、延迟、量化与验证 |
| S4-04 | S4-06 | 模拟 IC 设计流、规格树与测试平台 |
| S2-10 | S4-06 | 模拟 IC 设计流、规格树与测试平台 |
| S4-06 | S4-07 | gm/Id、工作区、摆幅与晶体管尺寸 |
| S4-07 | S4-08 | 两级运放与误差放大器补偿 |
| S4-03 | S4-08 | 两级运放与误差放大器补偿 |
| S4-08 | S4-09 | 比较器、电流检测与基准接口集成 |
| S4-05 | S4-10 | PVT、Monte Carlo、噪声回归与 G4 |
| S4-09 | S4-10 | PVT、Monte Carlo、噪声回归与 G4 |
| S4-10 | S5-01 | 开关瞬态、栅极电荷、Coss 与死区 |
| S2-06 | S5-01 | 开关瞬态、栅极电荷、Coss 与死区 |
| S5-01 | S5-02 | GaN、SiC 与双脉冲安全测量 |
| S0-06 | S5-02 | GaN、SiC 与双脉冲安全测量 |
| S5-02 | S5-03 | 高低侧驱动、Bootstrap、电平转换与 CMTI |
| S4-09 | S5-03 | 高低侧驱动、Bootstrap、电平转换与 CMTI |
| S5-01 | S5-04 | 软开关、ZVS/ZCS、Class-E 与 Class-EF2 边界 |
| S3-07 | S5-04 | 软开关、ZVS/ZCS、Class-E 与 Class-EF2 边界 |
| S5-04 | S5-05 | 隔离变换器、变压器与反射阻抗 |
| S3-10 | S5-05 | 隔离变换器、变压器与反射阻抗 |
| S5-05 | S5-06 | LLC、CLLC、DAB 候选拓扑比较 |
| S5-06 | S5-07 | 高频磁件：磁芯、绕组、损耗与热 |
| S5-07 | S5-08 | 损耗、热、SOA、降额与保护协同 |
| S5-02 | S5-08 | 损耗、热、SOA、降额与保护协同 |
| S5-08 | S5-09 | 布局寄生、EMI 机理与高频测量 |
| S5-03 | S5-09 | 布局寄生、EMI 机理与高频测量 |
| S5-04 | S5-10 | FMEA、高能平台计划与 G5 |
| S5-09 | S5-10 | FMEA、高能平台计划与 G5 |
| S0-06 | S5-10 | FMEA、高能平台计划与 G5 |
| S5-10 | S6-01 | LDO、基准、偏置与启动 |
| S4-08 | S6-01 | LDO、基准、偏置与启动 |
| S6-01 | S6-02 | 振荡器、斜坡、PWM 与误差放大链 |
| S4-04 | S6-02 | 振荡器、斜坡、PWM 与误差放大链 |
| S6-02 | S6-03 | 电流检测、遥测与 ADC 接口 |
| S4-09 | S6-03 | 电流检测、遥测与 ADC 接口 |
| S6-03 | S6-04 | 保护、故障状态机与安全关断 |
| S5-10 | S6-04 | 保护、故障状态机与安全关断 |
| S6-04 | S6-05 | 多相 VR、电流均衡、负载线与相数管理 |
| S4-05 | S6-05 | 多相 VR、电流均衡、负载线与相数管理 |
| S6-05 | S6-06 | PMBus/SMBus、寄存器、配置与可测性 |
| S6-04 | S6-07 | 自适应 GaN 死区、ZVS 检测与驱动 IP |
| S5-04 | S6-07 | 自适应 GaN 死区、ZVS 检测与驱动 IP |
| S5-03 | S6-07 | 自适应 GaN 死区、ZVS 检测与驱动 IP |
| S6-07 | S6-08 | 版图、DRC/LVS/PEX、封装寄生与签核边界 |
| S4-10 | S6-08 | 版图、DRC/LVS/PEX、封装寄生与签核边界 |
| S6-08 | S6-09 | 硅后 Bring-up、ATE/ 台架与 A/B 验证 |
| S6-06 | S6-09 | 硅后 Bring-up、ATE/ 台架与 A/B 验证 |
| S6-09 | S6-10 | PDN 目标阻抗、动态负载与板芯协同 G6 |
| S6-05 | S6-10 | PDN 目标阻抗、动态负载与板芯协同 G6 |
| S5-09 | S6-10 | PDN 目标阻抗、动态负载与板芯协同 G6 |
| S6-10 | S7-01 | 四项目需求冻结、资源门与共同基线 |
| S7-01 | S7-02 | P1 缩比 MVP：高变比隔离架构与软开关样机 |
| S5-06 | S7-02 | P1 缩比 MVP：高变比隔离架构与软开关样机 |
| S5-10 | S7-02 | P1 缩比 MVP：高变比隔离架构与软开关样机 |
| S7-02 | S7-03 | P1 完整版：800 VDC 至48/54 V 工程验证计划 |
| S7-01 | S7-04 | P2 MVP：48/54 V 至核心电压 PoL 与 PDN 协同 |
| S6-10 | S7-04 | P2 MVP：48/54 V 至核心电压 PoL 与 PDN 协同 |
| S7-04 | S7-05 | P2 完整版：高电流 PoL、封装与系统验证 |
| S7-04 | S7-06 | P3 MVP：多相 VR 控制行为原型与晶体管子系统 |
| S6-06 | S7-06 | P3 MVP：多相 VR 控制行为原型与晶体管子系统 |
| S6-05 | S7-06 | P3 MVP：多相 VR 控制行为原型与晶体管子系统 |
| S7-06 | S7-07 | P3 完整版：L2—L4 芯片与 PoL 板芯闭环 |
| S6-09 | S7-07 | P3 完整版：L2—L4 芯片与 PoL 板芯闭环 |
| S7-01 | S7-08 | P4 MVP：自适应 GaN 驱动 IP 与低风险板级 A/B |
| S6-07 | S7-08 | P4 MVP：自适应 GaN 驱动 IP 与低风险板级 A/B |
| S7-08 | S7-09 | P4 完整版：驱动芯片 L2—L4 与48/54 V 板芯验证 |
| S6-09 | S7-09 | P4 完整版：驱动芯片 L2—L4 与48/54 V 板芯验证 |
| S7-03 | S7-10 | 统一作品集、科研论证、复现审计与 G7 |
| S7-05 | S7-10 | 统一作品集、科研论证、复现审计与 G7 |
| S7-07 | S7-10 | 统一作品集、科研论证、复现审计与 G7 |
| S7-09 | S7-10 | 统一作品集、科研论证、复现审计与 G7 |