76 个课时

这里有76个可执行课时。每课都回答五件事：为什么现在学、先学什么、动手做什么、交什么、怎样算过关。

课次仍保留完整24字段和机器元数据，但页面按真实学习顺序展开。你可以根据诊断压缩阅读，不能压缩独立推导、原始数据和验收。知识可以跳读，证据不能跳票。

统一动作只有一条：带着任务读资料；公式先查假设、单位和极限，波形先画预测。别一上来就和仿真器比手速——它跑得比你快，但不替你负责。

如果一课明显超时，先记录卡点并回查先修；不要靠删掉失败数据“追回进度”。

怎么使用这张目录

先完成起点诊断，再从当前阶段的第一课开始。每课页面底部都有上一课和下一课；阶段门没过，先回补，不靠浏览器的前进按钮越级。

S0 起点诊断与证据工作流

• S0-01 项目终点、证据等级与个人基线 · 6 h
• S0-02 数学、单位与数量级诊断 · 7 h
• S0-03 电流路径、器件状态与波形预测诊断 · 8 h
• S0-04 器件、模拟、信号与控制诊断 · 8 h
• S0-05 变换器、仿真与科研工作流诊断 · 9 h
• S0-06 实验安全、来源与 AI 责任门 · 10 h

S1 电路、动态与能量基础

• S1-01 参考方向、KCL/KVL 与功率符号 · 8 h
• S1-02 等效变换、戴维宁/诺顿与端口观点 · 9 h
• S1-03 节点/网孔法、受控源与小网络自动化 · 10 h
• S1-04 非线性器件、负载线与分段模型 · 9 h
• S1-05 电容、电感与状态连续性 · 11 h
• S1-06 二阶系统、阻尼、谐振与参数辨识 · 12 h
• S1-07 正弦稳态、相量、复功率与 Bode 初步 · 12 h
• S1-08 功率、能量流、效率与损耗账 · 10 h
• S1-09 磁路、耦合电感与变压器极性 · 10 h
• S1-10 热、容差、不确定性与 S1 阶段门 · 11 h

S2 器件—模拟—反馈桥梁

• S2-01 能带、掺杂、载流子与模型边界 · 10 h
• S2-02 PN 结、肖特基、击穿与反向恢复 · 12 h
• S2-03 MOS 结构、工作区与大/小信号模型 · 13 h
• S2-04 Si MOSFET、SiC MOSFET 与 GaN HEMT 的电路差异 · 12 h
• S2-05 偏置、电流镜与小信号增益 · 11 h
• S2-06 差分放大、共模、CMRR 与失配 · 12 h
• S2-07 运放闭环、频率响应、噪声与动态 · 12 h
• S2-08 比较器、迟滞、基准与电流检测 · 12 h
• S2-09 LTI、拉普拉斯、极零点与环路增益 · 12 h
• S2-10 反馈稳定性、裕度、补偿直觉与 G2 · 13 h

S3 开关功率级与低风险测量

• S3-01 开关单元、状态表与伏秒/电荷平衡 · 10 h
• S3-02 Buck：CCM/DCM、纹波、应力与设计 · 13 h
• S3-03 Boost 与 Buck-Boost：非最小相位和边界 · 12 h
• S3-04 桥式逆变、整流、PWM 与交流端口 · 12 h
• S3-05 数据手册、导通/开关损耗与器件选择 · 14 h
• S3-06 栅极驱动回路、寄生与误导通基础 · 13 h
• S3-07 电压/电流检测、隔离与保护接口 · 12 h
• S3-08 SPICE 模型层次、收敛与自动化验证 · 12 h
• S3-09 限能 Buck：预测、搭建与测量 · 16 h
• S3-10 模型—仿真—实测偏差与 G3 · 14 h

S4 变换器控制与模拟 IC 设计基础

• S4-01 平均模型与状态空间平均 · 12 h
• S4-02 小信号线性化、极点零点与 RHP 零点 · 13 h
• S4-03 环路增益、注入测量与模型有效性 · 12 h
• S4-04 电压模式、电流模式与补偿器综合 · 14 h
• S4-05 数字控制的采样、延迟、量化与验证 · 13 h
• S4-06 模拟 IC 设计流、规格树与测试平台 · 10 h
• S4-07 gm/Id、工作区、摆幅与晶体管尺寸 · 12 h
• S4-08 两级运放与误差放大器补偿 · 16 h
• S4-09 比较器、电流检测与基准接口集成 · 15 h
• S4-10 PVT、Monte Carlo、噪声回归与 G4 · 15 h

S5 高频器件、磁性与硬件工程

• S5-01 开关瞬态、栅极电荷、Coss 与死区 · 13 h
• S5-02 GaN、SiC 与双脉冲安全测量 · 15 h
• S5-03 高低侧驱动、Bootstrap、电平转换与 CMTI · 15 h
• S5-04 软开关、ZVS/ZCS、Class-E 与 Class-EF2 边界 · 16 h
• S5-05 隔离变换器、变压器与反射阻抗 · 14 h
• S5-06 LLC、CLLC、DAB 候选拓扑比较 · 16 h
• S5-07 高频磁件：磁芯、绕组、损耗与热 · 17 h
• S5-08 损耗、热、SOA、降额与保护协同 · 14 h
• S5-09 布局寄生、EMI 机理与高频测量 · 14 h
• S5-10 FMEA、高能平台计划与 G5 · 12 h

S6 PMIC 功能与板芯协同

• S6-01 LDO、基准、偏置与启动 · 16 h
• S6-02 振荡器、斜坡、PWM 与误差放大链 · 13 h
• S6-03 电流检测、遥测与 ADC 接口 · 14 h
• S6-04 保护、故障状态机与安全关断 · 13 h
• S6-05 多相 VR、电流均衡、负载线与相数管理 · 18 h
• S6-06 PMBus/SMBus、寄存器、配置与可测性 · 14 h
• S6-07 自适应 GaN 死区、ZVS 检测与驱动 IP · 19 h
• S6-08 版图、DRC/LVS/PEX、封装寄生与签核边界 · 17 h
• S6-09 硅后 Bring-up、ATE/ 台架与 A/B 验证 · 14 h
• S6-10 PDN 目标阻抗、动态负载与板芯协同 G6 · 18 h

S7 四项目收敛与求职证据链

• S7-01 四项目需求冻结、资源门与共同基线 · 16 h
• S7-02 P1 缩比 MVP：高变比隔离架构与软开关样机 · 28 h
• S7-03 P1 完整版：800 VDC 至48/54 V 工程验证计划 · 20 h
• S7-04 P2 MVP：48/54 V 至核心电压 PoL 与 PDN 协同 · 30 h
• S7-05 P2 完整版：高电流 PoL、封装与系统验证 · 20 h
• S7-06 P3 MVP：多相 VR 控制行为原型与晶体管子系统 · 32 h
• S7-07 P3 完整版：L2—L4 芯片与 PoL 板芯闭环 · 24 h
• S7-08 P4 MVP：自适应 GaN 驱动 IP 与低风险板级 A/B · 30 h
• S7-09 P4 完整版：驱动芯片 L2—L4 与48/54 V 板芯验证 · 22 h
• S7-10 统一作品集、科研论证、复现审计与 G7 · 24 h