S3-05 数据手册、导通/开关损耗与器件选择

完成任务并通过验收后，再勾这一格进度只保存在当前浏览器，不会上传。

S3 · M31 · U3.3 · 实践 PR13 · 预计 14 h

本课只解决一个问题： 把额定、典型、测试条件和波形积分转成可审计损耗账。

为什么现在学： 器件选择必须在布局和样机前完成数量级筛选，又不能把典型值当保证。

开工前

• 先修： S2-04 Si MOSFET、SiC MOSFET 与 GaN HEMT 的电路差异、S3-04 桥式逆变、整流、PWM 与交流端口
• 必学： 数据表条件、损耗积分、热迭代
• 可以加餐： 寿命模型
• 现在先别碰： 只按 FOM 自动排名

抓住原理

核心概念

• 额定/绝对最大
• 导通损耗
• 开关损耗
• Qg/Qoss
• 温度迭代
• SOA

公式与模型

• P_cond=I_rms²R(T)
• E_sw=∫vi dt
• P_sw=f_s(Eon+Eoff)
• Tj=Ta+P·Rθ近似

物理直觉： 损耗项互相耦合：升频减磁件却增开关损耗，温升又增导阻。

资料怎么读

• 中文主线： CN-PE 第2章与器件应用；CN-PEA 第3章
• 英文/官方资料： EN-FPE losses；EN-PSD Power MOSFETs；目标器件数据手册

任务清单

• [ ] 独立推导/手算： 为两候选器件做最大/典型损耗表
• [ ] 仿真/编程： 完成 PR13 参数化损耗瀑布
• [ ] 实验/观察： 对公开双脉冲曲线做条件归一化
• [ ] 反向练习： 解释为何两个厂商 Eon 不能直接横比

提交与过关

• 提交： PR13、引用到页码的参数表、热迭代
• 过关线： 每个参数含条件/typ-max；功率账闭合；选择有灵敏度/裕量
• 容易翻车： 拿绝对最大值当工作点；双计 Coss；忽略栅驱动损耗和温度

AI 使用边界

• 可以让 AI 帮忙： AI 可以帮你检索术语、搭“完成 PR13 参数化损耗瀑布”的脚本骨架，也可以生成反例。保留提示词、模型版本和来源；最后用手算、官方文档或测试逐条验收。
• 必须你自己来： 先关掉 AI，独立完成“为两候选器件做最大/典型损耗表”。然后闭卷讲清思路，并达到这条过关线：每个参数含条件/typ-max；功率账闭合；选择有灵敏度/裕量

学完之后

• 下一站： 进入 S5 高速开关、磁热和四项目器件选型。
• 项目关系： 直接支撑 P1、P2、P4；间接支撑 P3。三类功率硬件项目直接使用；P3 通过外置 DrMOS 接口和保护预算间接。
• 详细项目名： 见项目—课程矩阵。

时间账

阅读 3 h · 手算 3 h · 仿真/编程 4 h · 观察/实验 3 h · 复盘 1 h。合计 14 h。