04 教材体系

教材只负责提供可靠知识，不负责替你完成课程。使用顺序是：中文教材搭骨架，英文经典补深度，官方规格卡边界，论文处理前沿问题。

课时中的章节号来自已核验的出版社目录或明确主题。查不到就标明核对项，不靠“应该差不多”补齐书目信息。

教材矩阵

ID	语言	书名	作者	出版社	年份	ISBN	状态	课程用法
CN-CIR	中文	《电路（第6版）》	邱关源原著，罗先觉主编	高等教育出版社	2022	978-7-04-056553-9	出版社已核验	第1—12、14章为主；13、15—18章按项目选读。
CN-ANA	中文	《模拟电子技术基础（第六版）》	童诗白、华成英原著，华成英主编	高等教育出版社	2023	978-7-04-059533-8	出版社已核验；章目沿用该版实物目录复核	半导体器件、放大、频响、反馈、运算/处理、直流电源；读者到手后核对章号。
CN-SIG	中文	《信号与系统（第三版，上下册）》	郑君里、应启珩、杨为理	高等教育出版社	2011（现行印次以出版社为准）	上册978-7-04-031519-6；下册ISBN待实物核对	上册出版社已核验；下册书目信息待实物核对	第1—5章中的连续时间 LTI、卷积、傅里叶、拉普拉斯；离散和状态空间按需。
CN-CTL	中文	《自动控制原理（第七版）》	胡寿松主编	科学出版社	2019	978-7-03-057291-2	出版社已核验	第1—3、5—6章为主；根轨迹、离散、非线性和状态空间按课程指定。
CN-SPH	中文	《半导体物理学（第7版）》	刘恩科、朱秉升、罗晋生	电子工业出版社	2017前后（以实物版权页为准）	以实物版权页为准	出版社章目已核验；精确印次/ISBN 待实物核对	第1—8章选读；第9章 GaN 异质结构选读；光电、热电、磁学章节跳过。
CN-DEV	中文	《半导体器件物理（第2版）》	刘树林等	电子工业出版社	2015	978-7-12-127049-9	出版社已核验	第1、2、4、6章；BJT/JFET 仅为模型对照，器件设计细节选读。
CN-PE	中文	《电力电子技术（第6版）》	刘进军、王兆安主编	机械工业出版社	2022	978-7-111-70337-2	出版社已核验	第2、4—8章及教学实验为主；相控整流与交流变换按项目选读。
CN-PEA	中文	《电力电子技术（第2版）》	阮新波	机械工业出版社	2026	978-7-111-80691-2	出版社已核验；新书需到手核对页码	第3—11章用于高频器件、DC/DC、软开关、控制、驱动和磁性深化。
CN-AIC	中文	《模拟集成电路设计（第2版）》	魏廷存等	电子工业出版社	2026	978-7-12-151937-6	出版社已核验；新书需到手核对勘误	第2—8章为主；第9—10章只在时钟/数据转换任务选读。
EN-FPE	英文	Fundamentals of Power Electronics, 3rd ed.	Robert W. Erickson, Dragan Maksimović	Springer	2020	978-3-030-43879-1	出版社已核验	Ch. 1—12为核心；高级平均/数字控制章节按任务。
EN-PPE	英文	Principles of Power Electronics, 2nd ed.	Kassakian, Perreault, Verghese, Schlecht	Cambridge University Press	2023/2024	978-1-316-51951-6	出版社已核验	用作器件—磁性—动态—控制的研究生级补充，不整本通读。
EN-AIC	英文	Design of Analog CMOS Integrated Circuits, 2nd ed.	Behzad Razavi	McGraw Hill	2017	978-0-07-252493-2	出版社已核验	Ch. 2—10、12、14、19；其他专题按项目。
EN-PSD	英文	Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 2nd ed.	B. Jayant Baliga	Springer	2019	978-3-319-93987-2	出版社已核验	Ch. 2—6重点；BJT/ 晶闸管/IGBT 按项目选读。
EN-MAG	英文	Transformers and Inductors for Power Electronics	W. G. Hurley, W. H. Wölfle	Wiley	2013	978-1-119-95057-8	出版社已核验	Ch. 2—9用于磁件、测量、高频绕组与平面磁件。
EN-PMIC	英文	Power Management Techniques for Integrated Circuit Design	Ke-Horng Chen	Wiley	2016	978-1-118-89681-5	出版社已核验	Ch. 1—3和后续与 LDO/ 开关稳压/保护相关章节按任务。
EN-LOOP	英文	Designing Control Loops for Linear and Switching Power Supplies	Christophe Basso	Artech House	2012（页面注明内容更新至2020）	978-1-60807-558-4	出版社已核验	作为环路补偿和工程检查参考，不替代控制理论推导。

领域—课程—项目资源矩阵

领域	中文主教材	英文参考	官方资料	推荐版本	阶段	必读	选读	跳过/延后	选择理由	对应课程	对应项目
数学/电路	CN-CIR《电路（第6版）》	EN-FPE相关数学与电路回查	Python/SciPy与SPICE官方文档	CN-CIR 2022	S0—S1	第1—12、14章定向	三相/非线性与网络综合	与功率主线无关的完整数学证明	用中国高校主教材重建电路语言	S0-02—05、S1	P1—P4
普通物理/电磁/热	CN-CIR相关储能与耦合章节	EN-MAG；EN-FPE磁热章节	材料/磁芯/仪器官方数据	以当前出版社/厂商版为准	S1、S5	场—路—能量、磁路、热	材料与多物理场深化	完整大学物理重修	只补支撑电路、磁件和测量的物理	S1-03—10、S5-07—09	P1—P4
固体/半导体物理	CN-SPH《半导体物理学（第7版）》	EN-PSD器件物理章节	器件厂商模型/数据手册	CN-SPH官方页+实物复核	S2	能带、载流子、PN/MOS与温度	宽禁带材料深化	量子输运、TCAD	服务器件模型边界而非转向器件研究	S2-01—04	P1—P4
半导体器件	CN-DEV《半导体器件物理（第2版）》	EN-PSD	Si/GaN/SiC原厂资料	CN-DEV 2015；EN-PSD 2e	S2、S5	二极管/MOS、击穿、电荷、热	先进功率器件结构	工艺整合与可靠性物理专论	把物理特性映射到开关与驱动	S2-03—06、S5-01—02	P1/P2/P4直接，P3间接
模拟电子	CN-ANA《模拟电子技术基础（第6版）》	EN-AIC基础章节	器件/运放官方数据手册	CN-ANA 2023；EN-AIC 2e	S2	放大、频响、反馈、运放、比较	BJT/JFET对照	与功率 IC 无关的离散电路大全	补齐连续时间和反馈直觉	S2-07—10	P3/P4直接，P1/P2间接
信号与系统	CN-SIG《信号与系统（第3版）》	EN-FPE控制章节	Python/SciPy官方文档	上册ISBN已核验；下册实物复核	S1、S4	LTI、卷积、Laplace、采样	离散系统深化	通信信号处理支线	为小信号与数字控制提供统一语言	S1-07—08、S4-01—05	P1—P4
自动控制	CN-CTL《自动控制原理（第7版）》	EN-LOOP；EN-FPE	环路分析仪/仿真器官方文档	CN-CTL 2019	S2、S4	根轨迹/Bode、裕度、补偿	非线性/状态估计	现代/最优控制全套	先建立可解释经典环路再进数字控制	S2-09、S4-02—05	P1/P2/P3直接，P4间接
电力电子	CN-PE《电力电子技术（第6版）》+CN-PEA《电力电子学（第2版）》	EN-FPE；EN-PPE	MIT 6.622、TI Seminar、器件官方资料	CN-PE 2022；CN-PEA 2026；EN-FPE 3e	S3—S5	器件、基本/隔离DC/DC、软开关、控制、驱动、磁件	高级谐振与系统专题	无项目去向的拓扑百科	中文骨架+英文推导+官方工程边界	S3、S4-01—05、S5	P1—P4
磁性元件	CN-PEA磁件章	EN-MAG	磁芯材料与绕线官方曲线	EN-MAG当前Wiley版	S5	磁通、气隙、铜/芯损、寄生、热	平面磁件/多物理场	脱离材料条件外推经验公式	单独英文专著补中文薄弱处	S5-05—07	P1/P2直接，P3/P4间接
模拟 IC	CN-AIC《模拟集成电路设计（第2版）》	EN-AIC	授权PDK/EDA rule deck	CN-AIC 2026；EN-AIC 2e	S4、S6	器件、单级/差分、频响、反馈、比较、基准	高级低压/低噪声结构	无PDK时虚构工艺签核	晶体管级设计与PVT/版图闭环	S4-06—10、S6-01—04、08	P3/P4直接
PMIC/驱动IC	CN-AIC+CN-PEA相关章	EN-PMIC	PMBus/SMBus、GaN驱动官方规格	EN-PMIC当前Wiley版；规格用当前版本	S6	LDO、PWM、检测、保护、多相、驱动	先进数字电源管理	记忆专有命令/平台参数	用系统需求组织跨模拟/数字/功率模块	S6-01—07	P3/P4直接，P1/P2接口
硬件/PCB/封装/EMI	CN-PEA工程章节	EN-FPE/EN-PSD	CISPR 32、IEC 61010、仪器/封装官方资料	标准版本见来源登记	S3、S5—S7	探测、寄生、布局、热、保护和PDN	正式认证/3D场仿真	课程内自授高压操作	用官方边界和实测纠正纯网表思维	S3-09—10、S5-08—10、S6-08—10	P1—P4
科研与 AI	本地项目基线与课程研究档案	MIT公开课程的设计机制	来源原页、版本库与工具官方文档	每次项目启动重新核验	S0—S7	证据等级、复现、偏差、AI审计	论文方法专题	AI代替推导/安全/验收	把工具效率置于独立判断责任之下	贯穿全部课时	P1—P4

怎么用，不怎么用

先按课时指定范围读中文主教材，读到能完成手算和预测就停。
再用EN-FPE/EN-PPE深化变换器，用EN-AIC深化晶体管级设计，用EN-PSD/EN-MAG补器件和磁件，用EN-PMIC/EN-LOOP处理系统集成。
标准、PMBus/SMBus、仪器、器件、工艺和EDA内容，只查当前适用的官方原文。教材不能代替规格，规格也不能代替推导。
不整本打卡，不同时摊开五本同类书。书翻得多，不会自动增加相位裕度。

明确不确定性

CN-SIG下册ISBN和CN-SPH官方页面未完整呈现的书目信息，须在借阅或购买时核对版权页。这不影响已确认的章节主题。CN-PEA与CN-AIC是2026年新书；暂时拿不到时，分别使用CN-PE和EN-AIC/EN-FPE完成同一任务，验收标准不降级。

版权与来源

课程仅提供引用、章节路由和原创任务，不复制教材、OCW讲义或标准正文。完整链接见来源登记。

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