00 项目总览

先看结论

你不是从零开始。数字 IC、编程、自动化和流片经验都能复用；真正要补的是连续时间直觉、功率能量路径、模拟反馈和硬件判断。

主线只有一条：物理与电路 → 器件与模拟 → 功率级 → 控制与模拟 IC → 高频器件/磁热/EMI → PMIC 与驱动 → 板芯协同 → 四个项目。

标称工作量为 1077 小时。它是完整任务量，不是必须一口气跑完的日历。诊断可以帮你压缩已经会的内容；阶段门不能跳，因为“我以前学过”和“我现在能独立做出来”不是同一件事。

四个终点：先知道为什么学

ID	准确项目名称	MVP	完整版	边界
P1	面向1 MW级AI机架的800VDC至48V/54V高变比隔离DC/DC设计与验证	不接触800 V 实电。先完成750—850 V 输入、48/54 V 输出的架构比较、解析/开关模型、器件与磁件初选；再用不高于48 V 输入的隔离缩比样机验证关键波形、软开关和保护逻辑。	只有在实验室 EHS、导师和设备条件全部批准后，才进入1—5 kW 模块或等效工程平台；验证绝缘配合、预充、SiC/GaN 驱动、磁热、模块并联、EMI、保护和模型—仿真—实测一致性。	课程不授权个人搭建或调试800 V 平台。缺少合规设施时，完整版停在架构、仿真和安全缩比验证。
P2	面向AI加速器的48V/54V直达核心电压高变比PoL与PDN协同设计	先比较48/54 V→12 V→1 V 基准路径与直接/因子化路径；再用可控电流缩比平台验证多相均流、动态负载、目标阻抗和去耦配置。	在100—200 A 缩比平台上联合 PoL、PCB 铜层/过孔、连接器、去耦、封装寄生和负载模型，并评估更高电流扩展；形成效率、droop、热和阻抗证据链。	不得把项目缩成一台孤立变换器。没有高电流设施时，使用分段 PDN 实测、硬件在环和可验证缩比模型。
P3	面向AI服务器供电的混合信号多相VR控制器芯片与PoL板芯协同验证	冻结12 V→0.8—1.2 V、4—8相外置 DrMOS 控制器的最小规格；完成行为模型、FPGA/MCU 等效原型、关键模拟模块前仿和 PoL 同板对照测试。	依次完成晶体管级设计、PVT/Monte Carlo、版图、DRC/LVS、PEX、封装—PCB 寄生回注，以及资源允许时的流片、bring-up 和真实 PoL 闭环；证据目标至少 L3，争取 L4。	首版不集成片上功率级，不强塞全数字高速环路、复杂 NVM 或完整协议生态。工艺和 MPW 未锁定前，不承诺流片。
P4	面向48/54 V AI服务器中间母线的自适应GaN半桥驱动与软开关控制芯片	围绕48/54 V→12 V 半桥，完成高低侧驱动、延迟匹配、防直通、SW/VDS 检测和自适应死区 IP 的行为/晶体管级验证；再用低风险半桥或商用功率板建立 A/B 方法。	工艺、封装和测试条件允许时，完成 PVT/MC/PEX 和芯片 bring-up；在同板、同负载、同散热条件下，与商用驱动器比较损耗、死区、波形、温升和故障响应。	拿不到合适高压工艺时，项目保留为核心 IP 和系统级验证。首版不塞入复杂隔离、片上隔离电源或全域自学习。

八个阶段：每一段都要交东西

阶段	名称	课时	小时	退出标准	禁止事项
S0	起点诊断与证据工作流	6	48	完成8项诊断，通过安全与证据门，得到个人补课/跳级表。	诊断没做完，先别跳进高压、复杂多相或晶体管级大项目。
S1	电路、动态与能量基础	10	102	能在仿真前画出电流路径，预测一二阶波形，并闭合功率/能量账。	不要用 SPICE 截图替代手算、参考方向和符号约定。
S2	器件—模拟—反馈桥梁	10	119	能说明模型边界，完成放大/比较/采样链和基本反馈环的手算—仿真闭环。	当前阶段不展开量子输运、TCAD 或完整模拟 IC 大系统。
S3	开关功率级与低风险测量	10	128	完成一个限能 Buck 的预测—仿真—实测—偏差闭环，并通过测量安全门。	接线复核、探头和停机考核没通过，不得进入48 V 以上或高储能实验。
S4	变换器控制与模拟 IC 设计基础	10	132	能从功率级规格得到环路指标，并完成一个两级运放/误差放大器的 PVT 前仿。	不要把行为模型、晶体管模型和板级模型混成同一证据等级。
S5	高频器件、磁性与硬件工程	10	146	完成高频半桥或谐振单元的损耗、寄生和磁热模型，以及经批准的缩比验证计划。	H3/H4 实验必须有机构批准和导师现场监督。课程文本不是操作许可。
S6	PMIC 功能与板芯协同	10	156	交付一个 PMIC/ 驱动 IP 规格包、关键模块 PVT/MC/PEX 计划和板级接口验证。	PDK、封装或 MPW 未确认时，不得虚构工艺和硅后结果。
S7	四项目收敛与求职证据链	10	246	至少一个主项目达到可演示 MVP；四项目均有需求—证据—风险包；完成独立答辩。	未经测量的指标不写进简历；不为形式统一强行串联。

A—M 知识域：不求面面俱到，只求链条不断

域	内容	主要课程	最终作用
A	数学与工程分析工具	S0-02；S1-04、S1-07—08；S4-01—05	量纲、复数、微分方程、线性代数、频域、数值与误差
B	普通物理与电磁基础	S1-03—06、S1-09—10	电场/磁场、能量、动态、材料与热的必要直觉
C	固体物理、半导体物理与器件基础	S2-01—S2-06	能带、PN/MOS、模型边界、温度与工艺映射
D	电路理论	S0-03；S1-01—S1-08	KCL/KVL、动态、网络、频域、功率与测量
E	模拟电子技术	S2-07—S2-10	偏置、放大、运放、反馈、比较与采样
F	信号、系统与自动控制	S1-07—08；S2-09；S4-01—S4-05	LTI、极零、平均/小信号、补偿与数字控制
G	电力电子基础	S3；S5-04—S5-06	基本/隔离/谐振变换器、状态、应力、损耗与软开关
H	功率半导体器件与驱动	S5-01—S5-04；S6-07	Si/GaN/SiC、电荷、CMTI、死区、ZVS检测和保护
I	磁性元件与无源器件	S1-09；S3-06；S5-05—S5-07	磁路、磁芯/绕组、寄生、损耗、热与制造公差
J	模拟集成电路设计	S4-06—S4-10；S6-01—04、S6-08—09	规格、gm/Id、OTA、基准/比较/检测、PVT/MC/PEX 与硅后
K	功率管理和驱动 IC	S6-01—S6-10	PMIC、多相VR、遥测/PMBus、保护、自适应GaN驱动与板芯协同
L	功率硬件与实验	S0-06；S3-09—10；S5-02、S5-07—10；S7	仪器、PCB/封装、PDN、热、EMI、安全、故障和A/B
M	科研方法与 AI 使用	贯穿S0—S7，重点S0-01、S0-05—06、S3-08—10、S7-10	问题—模型—仿真—实验—误差—结论边界、复现和 AI 审查

证据等级：别让动词跑在数据前面

等级	可作出的主张	不能替代
L0 推导/手算	物理关系、数量级与设计初值	数值模型和实测
L1 行为/平均模型	控制逻辑、低频趋势、架构比较	单周期开关、器件和寄生
L2 开关/晶体管前后仿	指定模型与角落下的电路行为	样机、硅后、全系统
L3 缩比样机/硅后单元	规定台架和样本的实测	全功率、全平台、量产
L4 板芯闭环	指定板、芯片、负载和环境的系统证据	未覆盖工况和认证
L5 授权全系统/A/B	定义范围内的工程验证	超出样本、条件或标准适用范围的外推

四条执行规则

先预测，再开工具。 每个结果都保留来源、版本、参数和原始数据。
先解释，再优化。 连电流为什么往那边走都说不清，优化器只会更高效地帮你迷路。
AI 是助教，不是答辩人。 它可以检索、搭脚本、找反例；闭卷推导、安全判断和最终验收由你负责。
资源不够就降级证据，不升级措辞。 H2 以上硬件、专有 PDK 和硅后测试都受资源门控制。

P2+P3最适合组成PoL/PDN板芯主线；P1缩比+P4适合组成软开关与驱动主线。能复用就复用，不能复用别硬焊成“统一系统”。

00 项目总览 ​

先看结论 ​

四个终点：先知道为什么学 ​

八个阶段：每一段都要交东西 ​

A—M 知识域：不求面面俱到，只求链条不断 ​

证据等级：别让动词跑在数据前面 ​