S5-02 GaN、SiC 与双脉冲安全测量

完成任务并通过验收后，再勾这一格进度只保存在当前浏览器，不会上传。

S5 · M50 · U5.1 · 实践 PR22 · 预计 15 h

本课只解决一个问题： 比较 Si MOSFET、GaN HEMT 和 SiC MOSFET 的应用边界，并建立低能量双脉冲证据流。
为什么现在学： 器件材料标签不能替代对额定、驱动、反向导通、动态 Rds(on)和测量带宽的判断。

开工前

先修： S0-06 实验安全、来源与 AI 责任门、S5-01 开关瞬态、栅极电荷、Coss 与死区
必学： 完成 PR22 低风险双脉冲仿真/经批准台架计划
可以加餐： 高压短路与雪崩破坏测试
现在先别碰： 未经审批搭建高压双脉冲

抓住原理

核心概念

宽禁带
额定与降额
反向导通
动态 Rds(on)
阈值裕度
短路承受
双脉冲
探头去嵌

公式与模型

Eon/Eoff 积分
Ldi/dt 过冲
动态导通电阻定义需固定时窗
测量带宽与上升时间关系

物理直觉： 更快器件把损耗机会转化为寄生、EMI 和误触发风险，不是无条件升级。

资料怎么读

中文主线： CN-PEA 第2章；CN-DEV 功率器件相关节
英文/官方资料： EN-PSD；EN-FPE 器件章；原厂数据手册、评估板与安全指南

任务清单

[ ] 独立推导/手算： 手算脉冲电流、储能、过冲和仪器额定
[ ] 仿真/编程： 用厂商模型做参数/温度扫并保存模型版本
[ ] 实验/观察： 在 H1 台架或授权既有数据上比较积分窗与探头影响
[ ] 反向练习： 用错误时序/探头延迟故障检验能量算法

提交与过关

提交： PR22 风险评估、原始波形、能量表、器件对比卡
过关线： 不越过 H1；若无批准硬件则仅交仿真与授权数据分析；时间对齐和误差写清
容易翻车： 把厂商典型曲线当保证值；未经去偏移积分；比较不同条件的数据

AI 使用边界

可以让 AI 帮忙： AI 可以帮你检索术语、搭“用厂商模型做参数/温度扫并保存模型版本”的脚本骨架，也可以生成反例。保留提示词、模型版本和来源；最后用手算、官方文档或测试逐条验收。
必须你自己来： 先关掉 AI，独立完成“手算脉冲电流、储能、过冲和仪器额定”。然后闭卷讲清思路，并达到这条过关线：不越过 H1；若无批准硬件则仅交仿真与授权数据分析；时间对齐和误差写清

学完之后

下一站： 支撑 P1/P2 器件选择和 P4 GaN 驱动规格。
项目关系： 直接支撑 P1、P2、P4；间接支撑 P3。直接形成宽禁带选择与驱动证据；P3 通过外部 DrMOS 接口了解限制。
详细项目名： 见项目—课程矩阵。

时间账

阅读 3 h · 手算 3 h · 仿真/编程 4 h · 观察/实验 3 h · 复盘 2 h。合计 15 h。