S2-02 PN 结、肖特基、击穿与反向恢复

完成任务并通过验收后，再勾这一格进度只保存在当前浏览器，不会上传。

S2 · M20 · U2.1 · 实践 PR08 · 预计 12 h

本课只解决一个问题： 把势垒、耗尽、电容、击穿和存储电荷映射到二极管开关行为。

为什么现在学： 功率级换流和 IC 结隔离都需要知道理想二极管模型漏掉什么。

开工前

• 先修： S2-01 能带、掺杂、载流子与模型边界
• 必学： PN 结 I-V、电容、击穿、恢复
• 可以加餐： 雪崩器件设计
• 现在先别碰： 光电器件

抓住原理

核心概念

• 耗尽层
• I-V
• 结/扩散电容
• 雪崩/齐纳
• 反向恢复
• 肖特基

公式与模型

• I=I_S(e^{V/nV_T}-1)
• C_j=dQ/dV
• Q_rr=∫i_rrdt
• E_avalanche

物理直觉： 反向恢复来自已存储电荷，不是电流“惯性”；肖特基低压降换来漏电/耐压权衡。

资料怎么读

• 中文主线： CN-SPH 第6—7章；CN-DEV 第2章
• 英文/官方资料： EN-PSD Breakdown、Schottky、PiN Rectifiers

任务清单

• [ ] 独立推导/手算： 推导温度/电流对压降趋势并画换流路径
• [ ] 仿真/编程： 拟合二极管模型并完成 PR08
• [ ] 实验/观察： 测量或使用厂商曲线比较温漂/恢复
• [ ] 反向练习： 比较理想、分段、指数和厂商模型的适用区间

提交与过关

• 提交： PR08 数据、模型参数、换流解释
• 过关线： 能从 Qrr 预测尖峰方向；击穿不当正常工作点；模型误差有量化
• 容易翻车： 把反向恢复与结电容混为一谈；忽略测量寄生；用典型值作保证值

AI 使用边界

• 可以让 AI 帮忙： AI 可以帮你检索术语、搭“拟合二极管模型并完成 PR08”的脚本骨架，也可以生成反例。保留提示词、模型版本和来源；最后用手算、官方文档或测试逐条验收。
• 必须你自己来： 先关掉 AI，独立完成“推导温度/电流对压降趋势并画换流路径”。然后闭卷讲清思路，并达到这条过关线：能从 Qrr 预测尖峰方向；击穿不当正常工作点；模型误差有量化

学完之后

• 下一站： 进入 MOS 体二极管、功率器件换流和保护。
• 项目关系： 直接支撑 P1、P2、P4；间接支撑 P3。P1/P2/P4 功率换流直接使用；P3 通过 ESD/ 结隔离间接使用。
• 详细项目名： 见项目—课程矩阵。

时间账

阅读 3 h · 手算 3 h · 仿真/编程 3 h · 观察/实验 2 h · 复盘 1 h。合计 12 h。